图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:3 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 BSC019N02KS G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.95 mOhm @ 50A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 350µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 85nc @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 13000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
BSC019N02KS G也可以通过以下分类找到
BSC019N02KS G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家